Układy 512Mb DDR3 będą pracować z częstotliwościami do 1333MHz przy napięciu zasilającym 1,5V. Aby utrzymać relatywnie niski pobór mocy przy wysokich częstotliwościach taktowania, musiano wykorzystać tranzystory dwubramkowe. Chipy będą produkowane w procesie 90 nanometrów. W planach są też kości 1Gb i 2Gb. W przyszłym roku sprzedaż układów DDR3 rozpoczną także firmy Infineon i Samsung. Analitycy przewidują jednak, że nowa technologia zacznie wypierać układy DDR2 dopiero w roku 2008.